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参数目录36701
> BZT52H-C3V9,115 DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F
型号:
BZT52H-C3V9,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
DIODE ZENER 3.9V 375MW SOD123F
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
BZT52H-C3V9,115 PDF
标准包装
3,000
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
3.9V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
3µA @ 1V
容差
±5%
功率 - 最大
375mW
阻抗(最大)(Zzt)
95 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOD-123F
供应商设备封装
SOD-123F
包装
带卷 (TR)
工作温度
-65°C ~ 150°C
其它名称
568-3772-2
934059389115
BZT52H-C3V9 T/R
查看BZT52H-C3V9,115代理商
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